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MJE18006中文资料

MJE18006图片

MJE18006外观图

  • 大小：125.65KB
  • 厂家：ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
  • 描述：Silicon NPN Power Transistors
  • 标准包装：50
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 单路
  • 系列：SWITCHMODE™
  • 晶体管类型：NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：6A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：450V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：700mV @ 600mA，3A
  • 电流 - 集电极截止（最大）：100µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：6 @ 3A，1V
  • 功率 - 最大：100W
  • 频率 - 转换：14MHz
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-220-3
  • 供应商设备封装：TO-220AB
  • 包装：管件

MJE18006供应商

更新时间:2023-01-02 06:36:29
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